英特尔将成为今年首个引入下一代 High-NA EUV 光刻机的公司

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本站 10 月 2 日消息，英特尔上周表示，它已经开始在价值 185 亿美元的爱尔兰工厂使用 EUV 光刻机进行大规模生产，并称其为“里程碑时刻”。

英特尔技术开发总经理安・凯勒赫（Ann Kelleher）表示，英特尔计划在今年首次引入下一代高数值孔径（High-NA）EUV 光刻机。此前，英特尔曾表示 High-NA 技术仅用于设备开发和验证，并计划在 18A 节点之后正式投入生产

这家美国公司表示，有了 High-NA EUV 光刻机，理论上可以在英特尔实现其“四年五代工艺”的路上发挥关键作用。

安・凯勒赫表示，他们目前正按计划实现这一目标，现已完成两个制造工序，而第三个工序“正在迅速到来”，而且最后两个工序都取得了非常好的进展。

ASML 首席执行官 Peter Wennink 上个月在接受路透社采访时表示，尽管供应商出现了一些阻碍，但公司仍会按照此前设定的计划，在今年年底之前交付 High NA EUV 机器。

凯勒赫表示，英特尔预计今年晚些时候将在俄勒冈州收到首批高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV），并且英特尔将成为首个获得此设备的芯片制造商

ASML 表示，一台 High-NA EUV 设备的体积和卡车相当，每台设备超过 1.5 亿美元（本站备注：当前约 10.95 亿元人民币），可以满足各类芯片制造商的需求，可以在未来十年内制造更小、更先进的芯片。

目前，最先进的芯片采用了4/5纳米级工艺。下半年，三星和台积电还将能够量产3纳米技术。对于使用ASML EUV光刻技术的Twinscan NXE:3400C及类似系统而言，它们通常具备0.33 NA（数值孔径）的光学器件，能够提供13纳米的分辨率

根据目前的情况来看，对于7nm/6nm节点（36nm~38nm）和5nm（30nm~32nm）的单模来说，这种分辨率尺寸已经足够使用了。但是随着间距低于30nm（超过5nm级的节点）的出现，可能需要采用双重曝光技术来实现13nm的分辨率，这将成为未来几年内的主流方法

对于后 3nm 时代，ASML 及其合作伙伴正在开发一种全新的 EUV 光刻机 ——Twinscan EXE:5000 系列，该系列机器将具有 0.55 NA（高 NA）的透镜，分辨率达 8nm，从而在 3 nm 及以上节点中尽可能减少工序，降低成本并提供良率。

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