铠侠5年NAND产能翻倍计划曝光

**铠侠宣布5年NAND产能翻倍计划，抢占AI数据中心存储市场** 日本NAND闪存巨头铠侠近日发布重磅战略，宣布未来五年内将NAND闪存产能提升至当前两倍，强势进军AI数据中心存储市场。为满足大模型训练、边缘计算等领域对高性能存储的迫切需求，铠侠将加大对四日市和北上工厂的生产线投资，力争在2029财年实现产能翻番。同时，铠侠还计划从2026年下半年起推出下一代存储技术产品，进一步巩固其市场地位。此举正值全球存储市场复苏之际，AI应用驱动的需求增长为NAND闪存带来强劲动力。然而，专家也提醒，需警惕AI发展不及预期或终端需求减弱可能带来的产能过剩风险。

6月6日，日本NAND闪存制造商铠侠公布了一项长期业务战略，目标是在未来五年内将其NAND闪存生产能力提高到目前的两倍，以迎合人工智能数据中心不断增长的存储需求。

按照铠侠的扩展计划，公司打算通过对位于日本四日市和北上的工厂进行生产线投资，在2029财年达成NAND闪存产能比2024财年翻一番的目标。此举是为了响应全球AI基础设施建设所催生的存储需求增加，特别是针对大模型训练、边缘计算以及高性能计算等领域对高速、高密度存储解决方案提出的更高要求。

除了产能的提升，铠侠还计划从2026年下半年起开始生产下一代存储技术的产品。尽管具体的细节尚未公开，但业界普遍推测这或许涉及到更高层数的3D NAND或者其他先进的结构设计，目的是为了提高性能并减少成本。

铠侠作出此扩产决定之时，正值全球存储市场逐渐复苏的时候。早前，由于供应与需求不平衡，NAND市场遭遇了价格下滑和减产的情况。而现在，在AI应用推动下，市场需求显著恢复，促使主要厂商重新启动扩产步伐。世界半导体贸易统计组织（WSTS）预计，2025年全球存储器市场的规模可能同比增长16.2%，其中NAND闪存将是主要的增长驱动力之一。

不过，也有专家提出了潜在的风险点：假如接下来几年里AI进展不如预期或者终端市场需求减弱，可能会导致产能过剩的问题出现。因此，如何在扩展业务的同时适应市场的变动，对于铠侠这样的存储企业来说是一个关键挑战。

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