铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存，重组存储级内存业务

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根据日经xTECH报道，铠侠CTO宫岛英史在最近举办的第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示，该企业目标2030~2031年推出1000层的3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。

铠侠与西部数据携手开发 NAND 闪存技术，目前这对合作伙伴最先进的产品是 218 层堆叠的 BICS8 3D 闪存。BICS8 闪存可以实现3200MT/s的I/O速率。

2022年，另一家主要NAND企业在技术日上展示了类似的观点。预测到2030年时，他们计划实现1000层堆叠的3D NAND存储。

提升堆叠层数是提升单颗 3D NAND 闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大。

除高难度和低良率外，高深宽比蚀刻也是一项耗时财的工艺：目前每次这种蚀刻约需要 1 小时，NAND 厂若想提升产能，则必须购进更多的蚀刻机台。

因此铠侠在 BICS8 中使用了双堆栈工艺，分开实现两个 NAND 堆栈的垂直通道蚀刻。

此举增加了在双堆栈间通道的麻烦，但整体而言还是降低了难度。未来千层堆叠NAND 闪存有望包含更多个NAND 堆栈。

此外宫岛英史还表示，相较于同时运营 NAND 和 DRAM 的竞争对手，铠侠在业务丰富程度上面处于竞争劣势，因此有必要培育存储级内存（SCM）等新型存储产品业务。

这位 CTO 称，在 AI 热潮下，DRAM 同 NAND 之间的性能差距正在拉大，而 SCM 可填补这一空白。

铠侠于 4 月 1 日将此前的“存储器技术研究实验室”重组为“先进技术研究实验室”。其 SCM 研究将集中在 MRAM、FeRAM、ReRAM 等新型内存上，有望于 2~3 年内出货。

参考本站报道，铠侠之前在 SCM 领域主要聚焦 XL-FLASH 闪存方案。该企业于 2022 年推出了可支持 MLC 模式的第二代 XL-FLASH。

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