冲刺 1nm 制程，日本 Rapidus、东京大学与法国研究机构合作开发尖端半导体

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据《日本经济新闻》报道，日本芯片制造商Rapidus和东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作，共同开发电路线宽为1纳米级的新一代半导体设计的基础技术

报道称，双方将从明年开始展开人员交流、技术共享，法国研究机构 Leti 将贡献其在芯片元件方面的专业技术，以构建供应 1nm 产品的基础设施。

双方的目标是确立设计开发线宽为 1.4nm-1nm 的半导体所需要的基础技术。制造 1nm 产品需要不同于传统的晶体管结构，Leti 在该领域的成膜等关键技术上具备较为雄厚的实力。

与 2nm 相比，1nm 技术可将计算性能和效率提升 10-20%。Rapidus 已经与 IBM 和比利时研发集团 Imec 合作，以实现 2027 年量产 2nm 芯片的目标，预计 1nm 半导体最快在 2030 年代进入主流。同时，IBM 也考虑在 1nm 领域与 Rapidus 进行合作。

另据本站此前报道，荷兰大型半导体制造设备厂商 ASML 将在 2024 年下半年之前在日本北海道新建技术支持基地。Rapidus 公司正在力争量产最先进半导体，ASML 将为 Rapidus 提供工厂建设和维护检查等协助，到 2028 年前后将日本国内人员增加 40%。

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