三星电子计划于明年推出超过300层的双层堆栈V-NAND闪存技术

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根据最新报道，三星电子计划在明年推出第9代V-NAND闪存产品。这款新产品将采用超过300层的双层堆栈架构，为存储技术领域带来了突破

三星计划引入双层堆栈架构，以在技术进步方面超越竞争对手SK海力士。据报道，SK海力士计划在2025年上半年开始量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。然而，早在2020年，三星已经成功生产出第7代V-NAND闪存芯片

这项创新举措预计将大幅提升存储密度，从而有助于降低固态硬盘的制造成本，为消费者提供更具性价比的存储解决方案。三星的双层堆栈架构技术是在现有的3D NAND堆栈基础上构建的新堆栈，这种方法不仅能提高产量，还能更高效地利用资源

根据小编的了解，SK海力士采用了与竞争对手不同的三层堆栈架构。这种架构是在一个3D NAND层上创建了三组不同的层。虽然这样做可以提高产量，但也会增加生产步骤和原材料的使用量

有业内人士向《首尔经济日报》透露，三星在推出第9代3D NAND后，有望在第10代产品中采用三层堆栈架构，预计将达到430层。这种技术选择不仅能够确保更高的产量，还可以应对超过400层时可能出现的原材料和成本压力。

在2022年的“2022三星科技日”上，三星提出了雄心勃勃的长期目标，计划在2030年将3D NAND的层数推升至1000层。这一目标显示了三星对于未来存储技术发展的执着追求。

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