三星HBM4晶片出货，抢占AI内存市场

三星电子正式开启HBM4高带宽内存芯片的商业出货，以11.7 Gbps（极限达13 Gbps）的领先数据速率强势切入AI算力核心战场，直面SK海力士与美光在新一代AI存储领域的激烈竞争；此举不仅标志着三星在经历HBM2E/HBM3阶段落后后加速技术反超，更凸显其全力抢占大模型训练与生成式AI实时推理所需关键硬件制高点的战略决心——当全球AI数据中心狂飙突进，HBM4已不再只是内存升级，而是一场关乎算力主权、良率攻坚与供应链话语权的硬核军备竞赛。

韩国存储巨头三星电子（Samsung Electronics）周四（2月12日）宣布，已正式启动最新一代高带宽内存（HBM4）芯片的商业出货，首批产品交付给若干未披露名称的客户，旨在加速缩小与主要竞争对手在供应英伟达（NVIDIA）AI加速器核心存储组件方面的技术与产能差距。

在全球AI数据中心建设浪潮推动下，HBM芯片需求持续爆发式增长。该类芯片专为满足AI加速器对海量、超高速数据吞吐能力的需求而设计，是支撑大语言模型训练及生成式AI实时推理的关键硬件基础。

作为全球规模最大的存储芯片制造商，三星在早期几代HBM技术演进中步伐相对审慎，一度在HBM2E与HBM3阶段明显落后于SK海力士（SK Hynix）等同业。但当前，该公司正以高强度投入推进技术赶超。三星半导体事业部技术长宋在赫（Song Jai-hyuk）周三透露，客户对HBM4工程样品的评估反馈“非常积极”，验证了其性能与稳定性表现。

据三星官方披露，其HBM4芯片可稳定运行于11.7 Gbps（每秒十亿比特）的数据速率，较上一代HBM3E的9.6 Gbps提升达22%；极限性能模式下更可突破至13 Gbps，显著缓解伴随AI模型参数量指数级扩张而加剧的数据通路瓶颈。此外，公司明确表示，面向更高能效与密度优化的HBM4E版本样品，计划于2026年下半年启动客户送样。

受此利好消息提振，三星电子股价周四收盘大涨6.4%，SK海力士同期上涨3.3%。值得注意的是，SK海力士于今年1月曾公开表态，将全力捍卫其在新一代HBM4市场的“绝对领先”地位，并确认HBM4已进入量产阶段；同时强调，其目标是使HBM4良率尽快趋近当前HBM3E的成熟水平。

与此同时，美光（Micron）首席财务官亦在近期财报说明中证实，公司已全面启动HBM4的大规模量产，并开始向终端客户交付产品。在生成式AI算力军备竞赛持续升级的背景下，HBM4已成为三星、SK海力士与美光三大存储厂商正面竞逐的新主战场，技术迭代节奏加快、产能爬坡压力加剧、供应链协同要求提升，整体竞争态势日趋白热化。

来源：路透社

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