泰科天润VDMOS专利发布，降低反向干扰

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天眼查信息显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司于2025年3月14日公开了一项名为“一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS及其制备方法”的专利，专利申请公布号为CN119630038A。

该发明涉及一种具备低反向恢复干扰特性的平面栅VDMOS器件及其制造工艺。在带有漏极金属层的碳化硅基板上设置阻挡层，并通过光刻工艺形成开口；随后对碳化硅基板进行离子注入，以形成多个缓冲区域；去除阻挡层后，在碳化硅基板上进行外延生长，从而获得漂移层；接着在漂移层表面重新沉积阻挡层，经刻蚀和离子注入处理后，分别形成变掺杂区、P型阱区、P型源区以及N型源区；再次形成阻挡层并刻蚀出通孔后，沉积栅介质层；继续在表面形成阻挡层并刻蚀，之后沉积金属材料，形成栅极金属层；最后再次设置阻挡层并开孔，沉积金属形成源极金属层，去除阻挡层后完成整体结构。该设计通过在器件内部引入缓冲区，显著降低了反向恢复过程中电压上升沿的过冲现象，从而减少了对外部电路的电磁干扰。

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