陆芯电子IGBT技术获授权解析

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天眼查显示，上海陆芯电子科技有限公司“一种IGBT器件制备方法及IGBT器件”近日取得一项名为“一种用于修整研磨轮的装置和方法”的专利，授权公告号为 CN118156130B，授权公告日为2025年3月14日，申请日为2024年4月9日。

本发明公开了一种IGBT器件制备方法及IGBT器件。该IGBT器件制备方法包括：提供一N型衬底；N型衬底具有较低电阻率；在N型衬底的正面淀积电阻率高于N型衬底的电阻率的至少一层N型漂移区；在N型衬底的背面进行离子注入，形成N型缓冲层；其中，N型缓冲层的电阻率小于N型衬底的电阻率；在N型缓冲层的背面进行离子注入，形成P型集电极；在N型漂移区远离N型衬底的一侧形成IGBT功能结构；其中，IGBT功能结构包括至少一个沟槽栅结构，沟槽栅结构的底部嵌于N型漂移区内部。本发明实施例的技术方案有利于减小FS‑IGBT功率器件的开关损耗，提高FS‑IGBT功率器件的开关速度，并且减小器件的开关震荡。

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