中欣晶圆硅片背封工艺专利曝光

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天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近日公开了名为“改善硅片背封外观的加工工艺”的专利信息，该专利申请公布日期为2025年3月14日，公布编号为CN119615104A。

本发明提供了一种优化硅片背封外观的加工方法，属于硅片制造技术领域。具体操作流程如下：首先对已完成双面抛光处理的硅晶片进行APCVD工艺前的清洗作业；其次将硅晶片送入设备中进行SiO2薄膜沉积，传输速度控制在190～210mm/min之间；接着，APCVD工艺所使用的三个反应喷头温度分别设定为T1=620～700℃、T2=560～640℃、T3=460～540℃；随后，在硅晶片背面形成一层厚度为0.3～0.6μm的LTO薄膜；完成背封工艺后再次对硅晶片进行清洗处理；最后，经过APCVD处理的硅晶片进入后续的抛光与清洗工序。该工艺具备操作简便、成膜稳定性强的优势，通过对APCVD背封环节相关参数的优化调整，有效防止了晶片表面粉末状污染物的附着，确保了薄膜均匀且无其他视觉缺陷，从而显著提高了产品的首次加工合格率。

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