华润上华新专利：横向扩散MOS技术解析

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天眼查信息显示，无锡华润上华科技有限公司于2025年2月14日公开了一项名为“横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法”的专利，专利申请公布号为CN119451184A。

该专利涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其实现方法。在该器件的制造过程中，首先提供一个衬底；随后在衬底内部形成体区；接着在衬底表面设置注入掩蔽结构，该结构覆盖衬底的部分区域；其中，体区位于注入掩蔽结构在衬底上的投影范围内；从体区朝向衬底边缘方向，注入掩蔽结构沿第一方向的厚度逐渐减小，而第一方向与衬底的厚度方向平行；之后，在衬底内形成漂移区，漂移区与体区相邻，且从体区至衬底边缘方向，漂移区沿第一方向的深度逐步增加。通过上述设计，不仅有助于降低漂移区靠近沟道区一端的电场强度，从而增强器件的稳定性；同时也有利于减弱Kirk效应，提升导通状态下的击穿电压性能。

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