青禾晶元SEMICON时刻：展示中国先进键合技术

在SEMICON国际会议上，青禾晶元创始人母凤文博士发表主题演讲，重点介绍了其在先进键合技术的突破性进展，并强调该技术对推动中国半导体产业跨越式发展的重要意义。演讲涵盖了青禾晶元在超高真空室温键合、C2W/W2W双模混合键合以及临时键合等领域的创新成果，这些技术解决了SiC、GaN等宽禁带半导体材料集成、HBM内存堆叠互连以及POI衬底代加工等行业难题，并已获得业内领先客户的认可。 青禾晶元致力于提供高精度、高性价比的键合装备与方案，助力中国半导体产业发展。

在SEMICON异构集成（先进封装）国际会议上，青禾晶元创始人兼董事长母凤文博士发表主题演讲，重点介绍了中国半导体企业在键合技术领域的最新突破，以及键合技术对半导体产业跨越式发展的重要推动作用。

母凤文博士演讲现场

键合技术作为半导体制造的核心工艺，正引领行业进入“第三波材料技术浪潮”。母博士指出，摩尔定律逼近物理极限，异质材料融合和三维集成成为半导体产业突破性能瓶颈的关键。

技术创新，解决行业难题

母博士在演讲中详细阐述了青禾晶元在超高真空室温键合技术的创新成果。这项技术具有无反应层、无需升降温、高精度、高产出等优势，实现了SiC、GaN等宽禁带半导体材料的无损集成，为客户带来显著的成本优势。

在三维集成领域，青禾晶元全球首创的C2W/W2W双模混合键合设备有效解决了HBM内存堆叠中的互连难题，为3D IC设计提供了更灵活的解决方案。母博士强调，HBM4要求在720微米厚度内实现16层DRAM堆叠，混合键合技术将取代传统的bump工艺。

此外，青禾晶元的室温键合技术在POI衬底代加工方面也取得了突破，实现了LT（钽酸锂）与硅、蓝宝石等材料的可靠结合，避免了热应力问题，为5G射频器件提供了关键支持，并获得了行业领先客户的认可。 在临时键合技术方面，无机物方案可耐受1000℃高温，厚度控制精度达亚微米级，满足存储器、CIS等器件的超薄晶圆加工需求。

母博士最后展望了键合技术的未来，认为随着AI、自动驾驶等新兴应用的快速发展，对异质集成的需求将呈指数级增长。青禾晶元将持续加大研发投入，与全球合作伙伴携手推动半导体产业技术创新。

关于青禾晶元

青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司是中国领先的半导体键合集成技术高新技术企业，核心业务涵盖高端键合装备研发制造与精密键合工艺代工，技术广泛应用于先进封装、半导体器件制造、晶圆级异质材料集成及MEMS传感器等领域。公司采用“装备制造+工艺服务”双轮驱动模式，构建全产业链解决方案，已成功开发四大自主知识产权产品矩阵：超高真空常温键合系统、混合键合设备、热压键合装备及配套工艺服务。公司致力于为全球半导体产业链提供高精度、工艺稳定、高性价比的键合装备与方案，助力战略新兴产业发展。

欢迎莅临SEMICON上海新国际博览中心N2-2235展馆，与青禾晶元共同探讨产业发展。

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