华虹宏力专利曝光：台面结构削角新技巧

华虹宏力半导体制造有限公司近日公开一项名为“改善台面结构削角的方法”的专利技术（申请公布号：CN119542136A），旨在解决半导体制造工艺中棘手的台面结构削角难题。该专利技术通过多层氧化层和多晶硅层的精准刻蚀和回刻蚀，有效控制氮化层突出量，最终实现对台面结构的精准削角。此项技术的公布，或将提升半导体制造工艺的精度和效率，为芯片制造领域带来新的突破。

上海华虹宏力半导体制造有限公司一项名为“改善台面结构削角的方法”的专利技术已于2025年2月28日公开，申请公布号为CN119542136A。天眼查信息显示，该专利技术旨在解决半导体制造中台面结构削角问题。

该方法包括以下步骤：首先在衬底上形成ONO层和深沟槽；然后通过热氧化在深沟槽表面形成第三氧化层，并利用回刻蚀控制氮化层突出量；之后依次形成第四氧化层和第一多晶硅层，再回刻蚀第一多晶硅层；接下来形成第五氧化层和光刻胶层，并以光刻胶层和氮化层为阻挡层刻蚀形成浅沟槽，去除光刻胶层和剩余ONO层；最后，在浅沟槽中依次形成第六氧化层和第二多晶硅层，并回刻蚀第二多晶硅层至所需高度。通过这些步骤，有效改善了台面结构的削角问题。

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