三星电子改进半导体存储器设计

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据韩国业内消息，三星电子正对旗下12纳米级DRAM芯片“D1b”进行设计升级。

“D1b”于2023年首次投入量产，广泛应用于显卡和手机DRAM领域。此次对已量产一年多的产品进行设计调整在半导体行业实属罕见。

业内专家分析，此举并非易事，设计变更会增加生产成本，这反映出三星电子对提升工艺和产品竞争力的迫切需求。

三星电子已启动“D1b”设计升级后的生产工艺改造，并在2024年底紧急订购相关设备，对现有生产线进行升级并完成技术转移。预计新款“D1b”将于今年内量产，最快可能在第二或第三季度面世。

此外，三星电子还启动了名为“D1b-p”的新项目，旨在进一步增强其DRAM产品的市场竞争力。

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