【专利】北方华创“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”专利公布；基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布；一微半导体“一种n倍脉宽扩展电路及脉宽扩展的锁相环系统”专利获授权

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近期半导体行业专利动态：北方华创、基本半导体、一微半导体等企业纷纷斩获专利成果。

1. 北方华创：高效腔室清洁技术专利公布

北京北方华创微电子装备有限公司近日公布一项名为“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”的专利（申请公布号：CN119050039A，申请公布日：2024年11月29日）。该专利提出了一种创新的腔室清洁方法，能够自动移出挡板并执行电荷清洁，显著提高清洁效率并降低人力成本。通过巧妙的设计，该方法有效避免了挡板对清洁效果的影响，确保了静电卡盘残余电荷的彻底清除。

2. 基本半导体：碳化硅基器件制备方法专利公布

深圳基本半导体有限公司公布了一项关于“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”的专利（申请公布号：CN119049972A，申请公布日：2024年11月29日）。该专利提供了一种新的碳化硅沟槽型MOSFET器件制备方法，有效解决了现有技术中沟槽底部栅氧化层易击穿的问题，提升了器件的可靠性。

3. 一微半导体：脉宽扩展电路及锁相环系统专利授权

珠海一微半导体股份有限公司近日获得一项“一种n倍脉宽扩展电路及脉宽扩展的锁相环系统”专利授权（授权公告号：CN112202424B，授权公告日：2024年11月29日）。该专利设计了一种结构简单、灵活度高、适应性强的n倍脉宽扩展电路，并将其应用于锁相环系统，显著增强了系统的稳定性。

以上专利技术的取得，标志着中国半导体产业在工艺设备、器件制备和电路设计等领域取得了新的进展，为推动行业技术进步和产业升级提供了强有力的支撑。

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