SK 海力士宣布量产全球最高的 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存，计划 2025 上半年对外出货

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本站 11 月 21 日消息，SK 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1Tb（太比特，与 TB 太字节不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存。
据介绍，此 321 层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了 12% 和 13%，并且数据读取能效也提高 10% 以上。

1. SK 海力士表示，“公司从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层 NAND 闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过 300 层的 NAND 闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供 321 层产品，由此应对市场需求。”

1. SK 海力士运用高效的“3-Plug”工艺技术，解决了堆叠限制。
2. 该技术分三步进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将 3 个通孔进行电气连接。在此过程中，引入了低变形材料和通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。
3. 此外，SK 海力士技术团队将上一代 238 层 NAND 闪存的开发平台应用于 321 层，最大程度地减少了工艺变化，与上一代相比，生产效率提升 59%。

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