英诺赛科新品引领储能技术革新

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100V 新品发布

全球领先的氮化镓（GaN）制造商英诺赛科（Innoscience）正式推出两款基于100V双冷却En-FCLGA封装的全新产品：INN100EA050DAD和INN100EA070DAD，专为太阳能微型逆变器、储能系统（ESS，直流输入）及最大功率点跟踪（MPPT）优化器提供超高效率解决方案。

这两款新产品INN100EA050DAD与INN100EA070DAD采用与此前发布的INN100EA035A相同的封装形式——双冷En-FCLGA 3.3X3.3，是业内首款可直接替代硅场效应晶体管（SFET）的点对点（P2P）封装设计，可显著提升系统效率并增强功率密度。在输入电压范围为36V至80V的应用环境下，整体系统损耗可减少超过50%。

相较于传统单面散热封装，英诺赛科独有的Dual-Cool En-FCLGA封装技术具备高出65%的热传导能力，有效改善系统热管理表现，降低工作温度，提高能效，并有助于实现更高功率密度（同时降低物料成本）。

产品亮点

先进的100V E-mode GaN工艺

栅极电荷QG,typ @ VDS极低

导通电阻RDS(on)超低

体积小巧，节省空间

100V Dual-cool En-FCLGA

En-FCLGA3.3X3.3封装

Rdson_Max 5~7mohm

支持双面散热结构，可直接替换Source down MOS实现P2P兼容

性能优势

极低导通电阻，显著降低能量损耗

驱动与开关损耗极小，提升系统响应速度并减少能耗

紧凑外形设计，适用于空间受限的应用场景

双面高效散热，增强系统稳定性与可靠性

应用优势

PCB布局友好，采用垂直电路路径设计，有效降低PCB寄生电阻

高系统效率，在36V-80V输入条件下，整体效率均超过95.5%

适用于光伏MPPT优化器，全面提升转换效率，降低系统功耗

目前，英诺赛科Topside cooling En-FCLGA 3.3X3.3封装系列中的三款产品——INN100EA035A、INN100EA050DAD与INN100EA070DAD均已进入量产阶段，并实现大批量出货。

三款产品的关键性能参数如下表所示：

Key performance parameters at TJ = 25 °C

此外，英诺赛科即将推出100V P2P Drain down MOS版本的En-FCLGA 5X6封装系列产品，导通电阻覆盖1.8~5mohm，敬请期待！

如需获取详细资料或申请样品，请联系：jiaxinhuang@innoscience.com（也可直接联系当地销售团队）

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