三星电子新建1cDRAM量产线计划公布

三星电子计划在华城工厂建设1c DRAM量产线，这是继平泽工厂后的又一重大投资，预计最早将于今年年底完成。1c DRAM将应用于三星电子的第六代高带宽存储器HBM4，是其在HBM领域保持领导地位的关键产品。此举反映出三星电子在最新HBM商业化过程中积极扩大产能的决心。

据悉，三星电子继平泽工厂之后，已制定计划在华城工厂建设1c DRAM（第6代10nm级DRAM）量产线，预计该项投资最早将于今年年底完成。

1c DRAM也是将应用于三星电子“HBM4（第六代高带宽存储器）”的关键产品。有分析认为，三星电子在最新HBM的商业化上遇到困难，目前正表现出积极的量产意愿。

据业内人士22日透露，三星电子计划今年下半年于华城市和平泽地区投资增加1c DRAM产能。

今年早些时候，三星电子开始在其平泽第四园区（P4）建设第一条1c DRAM量产线。当时投资规模较小，规划产能为每月3万片。目前三星电子正在商谈追加投资，扩大今年下半年P4工厂的1c DRAM产能。预计规模至少达到每月4万片。

三星电子华城17号线是一条主要生产1z（10纳米级第三代）DRAM的生产线。DRAM属于传统工艺，产量正在快速减少。三星电子已投资将1b DRAM转换为位于附近华城市的15号和16号生产线。

三星电子决定在其华城和平泽工厂具体化1c DRAM投资计划，这反映出其对提高产量的信心。

1c DRAM是三星电子计划最早在今年年底量产的最新一代DRAM。这种DRAM对三星电子如此重要的原因在于其在HBM领域的领导地位。与SK海力士和美光等主要竞争对手为HBM4采用1b DRAM不同，三星电子决定为HBM4应用1c DRAM 。（校对/李梅）

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