英诺赛科携手意法半导体，共拓氮化镓产能

英诺赛科与意法半导体近日宣布达成联合开发协议，共同推动氮化镓（GaN）功率技术在消费电子、数据中心、汽车和工业电源系统等领域的应用。根据协议，英诺赛科将利用意法半导体全球产能生产GaN晶圆，而意法半导体也可使用英诺赛科的中国产能。此举旨在提升双方GaN产品线，增强供应链灵活性，满足市场需求，并加速下一代GaN技术的研发与普及。

英诺赛科与意法半导体携手推动氮化镓技术应用

近日，英诺赛科发布公告宣布与意法半导体达成一项联合开发协议，双方将共同开发和生产氮化镓（GaN）功率技术，并将其应用于消费电子、数据中心、汽车和工业电源系统等领域。

根据协议，英诺赛科可利用意法半导体在全球范围内的产能生产GaN晶圆，意法半导体也可使用英诺赛科的中国产能。此举旨在提升双方GaN产品线，增强供应链灵活性，满足市场对多元化应用日益增长的需求。 双方还将共同研发下一代GaN技术，加速GaN技术的普及和应用。

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