国星光电风华芯电氮化镓器件量产开启

国星光电全资子公司风华芯电宣布其自主研发的氮化镓(GaN)器件正式量产并开始接单，标志着其在第三代半导体领域取得重大突破。该GaN器件采用国际先进工艺并融合自主创新技术，性能稳定可靠，主要应用于电源转换和射频通信领域，可满足电动汽车和数据中心等高增长市场需求。此次量产将助力国星光电拓展新能源、5G基站等领域应用，提升公司在第三代半导体领域的竞争力，并带来显著的经济效益。

国星光电全资子公司风华芯电宣布，其自主研发的氮化镓(GaN)器件已正式量产并开始接单。此举标志着国星光电在第三代半导体领域取得重大进展。

风华芯电的氮化镓技术基于国际先进工艺，并融合自主创新，确保产品在严苛环境下的稳定性能。该器件主要应用于电源转换和射频通信领域，可满足电动汽车和数据中心等高增长市场的需求。

此次量产是国星光电深化半导体产业布局的重要一步，将助力公司拓展新能源、5G基站等领域的应用，并通过动态调整供应策略满足市场需求。 公司将持续提升产能，增强其在第三代半导体领域的竞争优势。 量产及接单将为国星光电带来实质性收益。

(校对/黄仁贵)

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