英飞凌推出首批采用200毫米晶圆制造的SiC器件

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英飞凌率先交付首批基于200毫米晶圆的碳化硅(SiC)功率器件。

目前，几乎所有SiC器件都采用150毫米晶圆制造。而转向更大的200毫米晶圆，对降低SiC器件成本至关重要，但也面临着巨大的技术挑战。 除英飞凌外，Wolfspeed、意法半导体(ST)、安森美(onsemi)以及罗姆、三菱电机等公司也在积极研发200毫米SiC技术。

这些高压SiC器件由英飞凌奥地利菲拉赫工厂生产。此次交付也标志着英飞凌马来西亚居林制造基地Module 3产线，从150毫米晶圆向200毫米晶圆成功过渡的关键一步。

菲拉赫和居林两大生产基地技术工艺共享，确保SiC和氮化镓(GaN)制造技术的快速提升和高效运营。

英飞凌首席运营官Rutger Wijburg表示：“我们的SiC生产进展顺利，我们为向客户交付首批产品感到骄傲。通过分阶段提升菲拉赫和居林的SiC产能，我们正在提升成本效益并持续保障产品质量，同时确保产能满足市场对SiC功率半导体的需求。”

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