台积电首次提及 1.4nm 工艺技术，2nm 工艺按计划 2025 年量产

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本站 12 月 14 日消息，台积电在近日举办的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）的小组研讨会上透露，其 1.4nm 级工艺制程研发已经全面展开。同时，台积电重申，2nm 级制程将按计划于 2025 年开始量产。

根据 SemiAnalysis 的 Dylan Patel 给出的幻灯片，台积电的 1.4nm 制程节点正式名称为 A14。本站注意到，目前台积电尚未透露 A14 的量产时间和具体参数，但考虑到 N2 节点计划于 2025 年底量产，N2P 节点则定于 2026 年底量产，因此 A14 节点预计将在 2027-2028 年问世。

在技术方面，A14节点很可能不会采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术，但台积电仍在研究这项技术。因此，A14可能会像N2节点一样，依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术

为了实现新的性能、功耗和功能水平，N2 和 A14 等节点需要进行系统级协同优化才能发挥其作用

尚不清楚台積電是否計劃在2027-2028年期間為A14製程採用高數值孔徑極紫外光刻技術，考慮到屆時英特爾（以及可能其他芯片製造商）將採用並完善下一代數值孔徑為0.55的極紫外光刻機，台積電使用這些機器應該相當容易。然而，由於高數值孔徑極紫外光刻技術將掩膜尺寸減半，其使用將給芯片設計人員和製造商帶來一些額外的挑戰

在未来的几年里，许多事情可能会发生变化，所以我们不能做出太多的假设。然而，可以确定的是，台积电的科学家和开发人员正在努力进行下一代生产节点的研发工作

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