森国科Si/SiCMOS异质结器件专利震撼发布

深圳市森国科科技股份有限公司的专利“具有异质结的Si/SiCMOS器件及制作方法”已于2025年3月7日公布，公布号为CN119584591A。该发明属于半导体技术领域，涉及一种具有硅衬底、硅区、碳化硅区和栅极区的Si/SiC MOS器件及其制作方法。通过Si/SiC异质结结构，该器件兼具碳化硅的高击穿电压和硅的高沟道迁移率，显著提高了击穿电压，降低了导通电阻和功耗，并在多种工作状态下表现出色。

天眼查数据显示，深圳市森国科科技股份有限公司的一项专利“具有异质结的Si/SiCMOS器件及制作方法”已公布，公布日期为2025年3月7日，公布号为CN119584591A。

该发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有异质结结构的Si/SiC MOS器件及其制作方法。该器件结构包括硅衬底、硅区、碳化硅区和栅极区。硅区位于硅衬底上方，旨在提升器件的高沟道迁移率；碳化硅区则位于硅区上方，赋予器件高击穿电压的特性，并在零栅压下呈现低击穿电压状态；栅极区则在垂直方向上贯穿碳化硅区，其底部延伸至硅区内。通过采用SiSiC异质结结构，该器件同时具备了碳化硅的高击穿电压和硅的高沟道迁移率的优点，能够提高击穿电压，降低导通电阻和功耗。此外，该器件在正向导通、栅极0V低压击穿和栅极负压高压三种状态下表现出色，增强了其在低压条件下的使用稳定性和功能性。

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