荣耀登榜 | 安世半导体GaN FET获2024行家极光奖优秀产品奖！

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2024年12月12日，“行家说三代”半年会在深圳圆满落幕。本次盛会汇聚了行业上下游企业及专家，共同探讨行业发展趋势，促进合作交流。安世半导体凭借其领先的CCPAK封装GaN FET产品（专为工业及可再生能源应用设计）荣获“GaN年度优秀产品奖”，展现了其在基础半导体领域的领导地位和在第三代半导体领域的深厚积累。

安世半导体Nexperia GaN产品线资深市场拓展经理成皓先生代表公司领奖。

在同期举办的SiC & GaN技术应用创新峰会上，成皓先生发表了题为《安世半导体GaN FET如何助力新能源行业创新》的演讲。

他强调，全球对可再生能源的需求日益增长，高效率、高频率的GaN技术正成为提升新能源设备性能的关键。安世半导体是业内少数能够同时提供级联型（Cascode）和增强型（e-mode）氮化镓器件的厂商，其产品具有低反向恢复电荷、优异的温度稳定性等优势，为新能源应用提供高效、经济的解决方案。

获奖产品：针对工业和可再生能源应用的CCPAK封装GaN FET

GAN039-650NTB是一款典型导通电阻为33 mΩ的氮化镓场效应管，采用创新的CCPAK1212i顶部散热封装技术，实现了宽禁带半导体与铜夹片封装的完美结合。

这项技术为太阳能、家用热泵等可再生能源应用带来了显著优势，凸显了安世半导体致力于可持续发展应用的承诺。该技术同样适用于工业应用，例如伺服驱动器、开关电源(SMPS)、服务器和电信设备等。

GAN039-650NTB的级联配置使其具备卓越的开关和导通性能，其稳健的栅极结构具有高抗噪能力，简化了应用设计，无需复杂的栅极驱动器和控制电路，只需标准的硅MOSFET驱动器即可轻松驱动。安世半导体的GaN技术提升了开关稳定性，并使芯片尺寸缩小约24%。此外，该器件在25℃时的RDS(on)仅为33 mΩ（典型值），并具有高门槛电压和低等效肖特基二极管压降。

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